Сапфир Вафер / Сапфир субстраты

Сапфирдин корунд минералдар тобуна кирет. Бул жалпы координация оксиддик кристалл. Ал тригоналдык кристаллдык тутумга таандык. Crystal Space Group R3C. Негизги химиялык курамы AI2O3. Материал бар, 9га чейин, ал алмазга гана экинчи режимге ээ. Сапфирде химиялык туруктуулук, төмөн даярдоо баасы жана жетилген технологиясы бар, андыктан ага негизделген optoelectronic түзмөктөрүнүн негизги субстраты болуп калды. Мындан тышкары, анын диэлектрикалык жана механикалык касиеттери бар, ал эми жалпак панелдин көрсөткүчтөрүндө, жогорку натыйжалуулугу катуу шаймандарда, фотоэлектрдик жарык жана башка талааларда кеңири колдонулат. Силикон субстраттары, ошондой эле субстрат материалдары катары кеңири колдонулат. Кремний бети алты бурчтуу формада жайгаштырылган жана тик температуранын градиенси чоң кристаллдардын туруктуу өсүшүнө өбөлгө түзөт жана кеңири колдонулат. Бирок, кремний субстратындагы Ганка негизделген эң чоң техникалык кыйынчылыктар - бул тормотуу жана жылуулук дал келбестик. Кремний менен Галиже Нитициддин торлунун дал келбестиги кремний нтицидентинин бир нече жолу, бул кремний көйгөйлөргө алып келиши мүмкүн.

Жарым өткөргүч талаасы, адатта, сийди чөгүп кетүү материал катары колдонот. Силикон нитридинин жылуулук өткөрүмдүүлүгү сапфирден жогору. Жылуулукту сапфирге караганда чачыратуу оңой жана антистатикалык жөндөмгө ээ. Бирок кремнийдин нитридинин баасы сапфирден бир топ жогору, ал эми коммерциялык өндүрүштүн бийиктиги жогору. Силикон нитридинин субстраттары индустриалдаштырылышы мүмкүн, бирок алар кымбат жана универсалдуу колдонмо жок. Ган, зно ж.б.у.с.

Субстанцияны тандоодо субстрат материалынын дал келген материалын жана эпицатордук материалдарды карап чыгуу керек. Субраттардын тыгыздыгы төмөн болушу үчүн, химиялык касиеттер туруктуу болушу керек, температура кичинекей, ал эми ээрчүү оңой эмес жана ал эпитакстык тасма менен химиялык жол менен реакция кылуу оңой эмес жана иш жүзүндө кырдаалды карап чыгуу оңой эмес. Өндүрүштө өндүрүш чыгымдары. Сапфир субъектиси химиялык туруктуулук, жогорку температуранын жогорку деңгээли, жогорку механикалык күчкө ээ, кичинекей учурдагы шарттарда, кичинекей механикалык күч, көзгө көрүнбөгөн жарык соруу, орточо баасы, жетилген өндүрүш технологиясы, коммерциялаштырылган.

Sapphire субфанын SOS талаасында колдонуу

SOS (Сапфирдеги кремний) SOI (силикон) интеграцияланган симпос шаймандарын өндүрүү учурунда колдонулган SOI (кремний) технологиясы. Бул гетерофитититалдык эпиталык эпиталык эпиталык эпитакалдык процесси Сапфир субстратындагы силикон фильминин катмары. Силикон фильминин калыңдыгы жалпысынан 0.6μмден төмөн. Sapphire субфанын субфиринин субфирдин субфиринин кристаллдык багыты - бул SAP технологиясында колдонулган сапфир субфанын кристаллдык багыты (1, -1, 0, 2). Сипфирдин торунун жана кремний тордун ортосунда дал келбестиктен бери 12,5% га жеткенден кийин, кремний катмарын азайтуу жана жакшы көрсөткүчтөр (1, -1,0,2) кристаллга багыт алуу керек. Сапфир.